厂牌中文名字(含简称):
深圳市鲁光电子科技有限公司
厂牌英文名字(含简称):
ShenZhen LuGuang Electronic Technology. Co., Ltd./LGE
代理范围:全线代理还是部分代理
全线
主要产品:
二极管系列(普通整流二极管/快恢复二极管/高效整流二极管/超快恢复整流二极管/稳压二极管/开关二极管/TVS瞬态抑制二极管//肖特基二极管)、三极管系列(双极型三极管/数字三极管/达林顿管/MOSFET场效应晶体管/三端稳压器)、桥式整流器(单相整流桥/三相整流桥)、功率器件(单向可控硅/双向可控硅/IGBT/FRED快恢复二极管)、SiC器件(二极管/MOSFET)
1、 公司目标
耕耘分立式元器件产业二十载,打造国际化的国产半导体品牌
2、 公司介绍
鲁光电子简称“LGE”,以齐鲁大地的简称“鲁”和代表能量的太阳“光”元素组合而成,寓意“齐鲁之光、全球发光”。蕴含着我们鲁光人做世界级半导体品牌的梦想--Leader of Global Electronics。
鲁光电子科技有限公司(简称 LGE)成立于2002年9月,致力于功率半导体器件研发、生产、销售的国家高新技术企业,公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳。公司生产的TVS ,ZENER,SCHOTTKY,RECTIFIERS、FRED,TRANSISTOR、MOS、IGBT等半导体器件,广泛应用在汽车电子,消费类电子,智能制造,安防电子,工业控制,智能电网,电动工具,新能源汽车,新能源发电,电源产品,5G通信,高铁,船机等诸多领域,公司经过20年的积累和沉淀,在国内外享有极高的知名度,合作伙伴遍布全球100多个国家和地区。
公司工厂山东日照工业园区占地2万平方米,厂房3万平方米,配备多条进口全自动生产线和先进实验室(日照市半导体元器件工程技术研究中心、日照市电子元器件工程实验室、日照市半导体元器件企业技术中心、日照市“一企一技术”研发中心),年产各类半导体功率器件50亿支。公司先后申请专利22项(发明专利7项、实用新型专利15项)、软件著作权37项。
公司通过ISO9001:2015质量体系认证,ISO14001:2015环境体系认证和IATF16949:2016汽车行业质量体系认证,主要产品获得美国UL安全认证,并符合最新欧盟RoHS、REACH指令的环保要求。
产品规格齐全,有近千种规格和ST、Vishay、Onsemi、NXP、ROHM等国外品牌匹配,品质稳定,性能可靠,交货快捷。
公司立足国内,放眼世界,为了更好的服务于各地客商,在深圳设立研发和销售总公司,产品畅销四大洲,覆盖美国、墨西哥、巴西、阿根廷、德国、法国、意大利、波兰、奥地利、匈牙利、捷克、西班牙、土耳其、俄罗斯、南非、日本、韩国、印尼、马来西亚、新加坡、泰国、越南、印度、台湾、香港等近100个国家和地区。
3、 主要产品及亮点
★ 瞬态抑制二极管(TVS)亮点
● 根据产品应用场景环境、可靠性要求等级不同,可分别提供GPP台面工艺/平面工艺/PG光阻工艺三种芯片制造工艺的产品,以满足市场上不同应用的需求。
● 产品增量浪涌电阻较低,提供单双向极性,反向断态电压和峰值额定功率范围宽,提供高电流保护.
● 产品型号齐全,功率从200W到50KW、电压从5.0V到600V的全系列产品;
● 封装外形齐全,涵盖DO-41/DO-15/DO-27/R-6…/SOD-123FL/SMA/SMB/SMC/DO-218AB等系列封装外形;
● 特色产品之一:220~600V高压TVS二极管。采用公司多层芯片叠加专利技术生产,较单芯片产品抗浪涌能力强。
● 特色产品之二:大电流1KA-15KA蓝宝宝BPSS系列产品。具有超低箝位电压, 外形超紧凑,体积不到传统离散型解决方案的十分之一; 击穿电压精准, 低斜率电阻,可提供卓越的箝位特性。
● 特色产品之三:DO-218AB封装SM5S & SM8S系列TVS,专为汽车应用设计保护器件,采用Sipos/SIO2 + Glass +LTO三层钝化工艺, 提升HTRB(175℃)高温反偏能力, 最大工作结温175℃. 具备1.8倍IPP 极限能力(10/1000us).遵照16949汽车质量管理体系标准,满足汽车专用测试标准ISO7637-2、ISO7637-5a/5b、ISO16750-2、AEC-Q101等严苛的测试要求,可确保所有设计、开发、制造的组件符合最高等级的汽车标准。
★ 肖特基二极管(SKY)亮点
● 根据产品应用场景环境和技术参数要求,可分别提供PLANAR工艺/MOS工艺/TRENCH工艺/TRENCH+MOS工艺四种芯片制程的产品,以满足市场上不同应用的需求。普通肖特基采用PLANNAR制程芯片,100V及以上产品,采用高铂金势垒工艺,提高产品的高温性能,可在高达175℃环境下长时间工作,适用于车灯及高温环境运用领域。LOW VF肖特基MOS制程芯片,反向漏电IR小;LOW VF肖特基TRENCH制程芯片,正向压降VF低;LOW VF肖特基TRENCH+MOS制程芯片,正向压降VF低,反向漏电IR小。
● 产品型号齐全,额定电流从1A到60A、额定电压从20V到300V的全系列产品;
● 封装外形齐全,包括DO-41/DO-15/DO-27/R-6/…/SOD-123/SOD-323/SOD-523/SOD-123FL/…/SMA/SMB/SMC/SMAF/SMBF/SMCF/TO-277/TO-220AC/ITO-220AC/TO-220AB/ITO-220AB/TO-252/TO-263/TO-247/TO-3P等系列封装外形;
● 特色产品之一:LOW VF低正向肖特基二极管,低正向压降,饱和压降低,减少工作损耗,满足六级能效要求,运用沟槽工艺芯片,适用于快充等高效能要求产品。40V及以下产品VF最低可做到0.38V以下,60V产品VF最低可做到0.48V以下,100V产品VF最低可做到0.60V以下。型号丰富具有多种封装类型,种类繁多,满足不同应用需求。主要用于适配器,LED电源、 家电等;
● 特色产品之二:高压肖特基二极管,可大批量供应额定电流1A~60A的100V/150V/200V/250V/300V高压产品,采用高铂金势垒工艺,结温高达175℃,适用于各种高温应用环境;
● 特色产品之三:TO系列封装插件和贴片大功率肖特基二极管,额定电流从5A到60A,额定电压45V/50V/60V/80V/100V/150V/200V/250V/300V;
● 特色产品之四:SiC肖特基二极管(650V~10KV),SiC肖特基二极管使用全新的技术,提供比硅更胜一筹的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。 正温度系数可确保安全运行,并轻松并联;最高运行结温为175 ℃;卓越的浪涌性能;极为迅速、不受温度影响的切换行为;相比硅双极二极管,切换损耗显著减少。系统优势包括最高能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰(EMI)以及更低的系统尺寸和成本。碳化硅肖特基二极管可应用于轨道交通、新能源汽车、新能源发电、智能电源、光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。
★ 快恢复二极管(FR)亮点
● 根据产品应用场景环境和技术参数要求,可分别提供GPP刀刮工艺/PG光阻工艺两种芯片制程的产品,以满足市场上不同应用的需求。
● 产品型号齐全,额定电流从1A到60A、额定电压从50V到5000V、恢复时间150ns/250ns/500ns的全系列产品;
● 封装外形齐全,包括DO-41/DO-15/DO-27/R-6/…/SOD-123/SOD-323/SOD-523/SOD-123FL/…/SMA/SMB/SMC/SMAF/SMBF/SMCF/TO-277/TO-220AC/ITO-220AC/TO-220AB/ITO-220AB/TO-252/TO-263/TO-247/TO-3P等系列封装外形;
● 特色产品之一:高压快恢复二极管,额定电流1A到10A,插件产品额定电压1200V到5000V,贴片产品额定电压1200V到2000V,恢复时间500ns;
● 特色产品之二:TO系列封装插件和贴片大功率快恢复二极管,额定电流从8A到60A,额定电压50V到1000V。
★ 高效整流二极管(HER)亮点
● 根据产品应用场景环境和技术参数要求,可分别提供GPP刀刮工艺/PG光阻工艺两种芯片制程的产品,以满足市场上不同应用的需求。
● 产品型号齐全,额定电流从1A到60A、额定电压从50V到5000V、恢复时间50ns/75ns的全系列产品;
● 封装外形齐全,包括DO-41/DO-15/DO-27/R-6/…/SOD-123/SOD-323/SOD-523/SOD-123FL/…/SMA/SMB/SMC/SMAF/SMBF/SMCF/TO-277/TO-220AC/ITO-220AC/TO-220AB/ITO-220AB/TO-252/TO-263/TO-247/TO-3P等系列封装外形;
● 特色产品之一:高压高效整流二极管,额定电流1A到10A,额定电压1200V到5000V,恢复时间50ns/75ns;
● 特色产品之二:TO系列封装插件和贴片大功率高效整流二极管,额定电流从8A到60A,额定电压50V到1000V。
★ 超快恢复二极管(SF)亮点
● 根据产品应用场景环境和技术参数要求,可分别提供GPP刀刮工艺/PG光阻工艺/FRED外延工艺三种芯片制程的产品,以满足市场上不同应用的需求。
● 产品型号齐全,额定电流从1A到60A、额定电压从50V到2000V的全系列产品;
● 封装外形齐全,包括DO-41/DO-15/DO-27/R-6/…/SOD-123/SOD-323/SOD-523/SOD-123FL/…/SMA/SMB/SMC/SMAF/SMBF/SMCF/TO-277/TO-220AC/ITO-220AC/TO-220AB/ITO-220AB/TO-252/TO-263/TO-247/TO-3P等系列封装外形;
● 特色产品之一:FRED外延工艺芯片制程超快恢复二极管,额定电流1A到60A,额定电压50V到1200V。反向恢复时间小,200V及以下产品,反向恢复时间trr可以做到25ns以下,VF小于0.875V;400V~600V产品,反向恢复时间小于50ns;800V~1200V产品反向恢复时间小于75ns。FRED产品具有独特的软恢复特性,可改善电磁干扰EMI,结温高达175℃,高温150℃时的漏电流在1微安以下,广泛应用于工业电源、焊机、充电桩、汽车电子等高端领域;
● 特色产品之二:TO系列封装FRED外延工艺芯片封装插件和贴片大功率快恢复二极管,额定电流从8A到60A,额定电压50V到1000V。
★ 稳压二极管(ZEN)亮点
● 根据产品应用场景环境和技术参数要求,可分别提供GPP台面工艺/PLANAR工艺/合金法三种芯片制程的产品,以满足市场上不同应用的需求。
● 产品型号齐全,额定功率从0.2W-10W、额定电压从2.0V到200V的全系列产品;电压精准(1%、2%、5%三个电压档位),满足各种电路应用要求;
● 封装外形齐全,包括DO-41/DO-15/DO-27/R-6/…/SOD-123/SOD-323/SOD-523/SOD-123FL/…/SMA/SMB/SMC/SMAF/SMBF/SMCF等系列封装外形;封装形式多样,应用于小电流、小功率电路保护;
● 特色产品之一:低压稳压二极管(2.0V~8.2V),合金法外延片平面工艺芯片制程, 整合了合金、扩散、外延、离子注入等工艺,适合生产低电压大功率稳压管,因芯片面积最大化,可实现大功率小尺寸,结面电容小,可以封装在更轻薄短小的外形内,降低封装成本。因其能够满足3C与 LED产业对低电压与大功率的特殊要求,市场需求巨大,广泛应用于通讯、数据传输、数据交换机、路由器、HUB、LED驱动电源保护,甚至在小家电上直接替代稳压器;使用在长期高温环境下,如电磁炉、电热水壶等,更能凸显合金法的高温极小漏电流的优良特性;
● 特色产品之二:高压稳压二极管,1Z330稳压值330V、1Z390稳压值390V, 采用公司多层芯片叠加专利技术生产。
★ 普通整流二极管(STD)亮点
● 根据产品应用场景环境和技术参数要求,可分别提供GPP刀刮法工艺/PG光阻工艺/OJ酸洗白胶工艺三种芯片制程的产品,以满足市场上不同应用的需求。
● 产品型号齐全,产品型号齐全,额定电流从1A到60A、额定电压从50V到5000V的全系列产品;
● 封装外形齐全,包括DO-41/DO-15/DO-27/R-6/…/SOD-123/SOD-323/SOD-523/SOD-123FL/…/SMA/SMB/SMC/SMAF/SMBF/SMCF/TO-277/TO-220AC/ITO-220AC/TO-220AB/ITO-220AB/TO-252/TO-263/TO-247/TO-3P等系列封装外形;
● 特色产品:高压普通整流二极管,额定电流1A到10A,插件产品额定电压1200V到5000V,贴片产品额定电压1200V到2000V。
4、 产品主要应用领域
公司生产的TVS ,ZENER,SCHOTTKY,RECTIFIERS、FRED,TRANSISTOR、MOS、IGBT等半导体器件,广泛应用在新能源汽车,新能源发电,轨道交通,智能电网,智能制造,智能家居,工业控制,仪器仪表,绿色照明,安防,网通,汽车电子,消费类电子,电源产品,电动工具,船机等诸多领域,公司经过20年的积累和沉淀,在国内外享有极高的知名度,合作伙伴遍布全球100多个国家和地区。
BSMD1812-200-30V/自恢复保险丝 | 0.38069 | |
FS55X106K101EGG/贴片电容(MLCC) | 1.28 | |
CA45-A016K106T/钽电容 | 0.224 | |
LKS665B/仿真器/烧录器 | 429.55 | |
FS32X225K101EGG/贴片电容(MLCC) | 0.229602 | |
FE2HX475M251LGL/贴片电容(MLCC) | 7.07 | |
DMS3R3224RS/超级电容器 | 1.57 | |
SM3R3703T01U/超级电容器 | 0.952 | |
FS32X106K101EGG/贴片电容(MLCC) | 1.42 | |
CA45-A010K106T/钽电容 | 0.2016 |
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